[发明专利]具有包括夹在电导体中间的磁导率层的场屏蔽布置的电流传感器无效

专利信息
申请号: 200980151180.0 申请日: 2009-10-16
公开(公告)号: CN102257394A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: H.金策尔 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01R15/20 分类号: G01R15/20;G01R19/15
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 原绍辉
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种电流传感器包括磁场感测元件、被相互电耦合的第一包括导体的夹层结构和第二包括导体的夹层结构。磁场感测元件被插在第一和第二夹层结构之间。磁场感测元件可操作以接收由流过第一和第二导体夹层结构的电流引起的磁通线。第一和第二导体夹层结构每个包括:顶部部分,其包括至少第一电导体;底部部分,其包括至少第二电导体;和不同于第一和第二电导体的导磁材料层,其插在顶部部分与底部部分之间。导磁材料屏蔽(避开)杂散磁场使其不能到达磁场感测元件,但是不会可测量地影响由待测量的初级电流生成的磁场。
搜索关键词: 具有 包括 导体 中间 磁导率 屏蔽 布置 电流传感器
【主权项】:
一种电流传感器,包括:磁场感测元件;被相互电耦合的第一包括导体的夹层结构和第二包括导体的夹层结构,其中,所述磁场感测元件被插在所述第一和第二夹层结构之间;所述第一和所述第二包括导体的夹层结构每个包括:顶部部分,其包括至少第一电导体;底部部分,其包括至少第二电导体;以及不同于所述第一和所述第二电导体的导磁材料层,其插在所述顶部部分与所述底部部分之间,其中所述磁场感测元件可操作以接收由流过所述第一和所述第二导体夹层结构的电流引起的磁通线。
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