[发明专利]薄膜型太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 200980151262.5 | 申请日: | 2009-12-22 |
公开(公告)号: | CN102257631A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 金泰勋 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种薄膜型太阳能电池及其制造方法。该薄膜型太阳能电池包括:基板;光散射膜,该光散射膜形成在该基板上,并且所述光散射膜包含珠粒和用于固定该珠粒的粘结剂;形成在该光散射膜上的前电极层;形成在该前电极上的半导体层;以及形成在该半导体层上的后电极层。由于本发明的薄膜型太阳能电池具有夹在基板和前电极层之间的光散射层,该薄膜型太阳能电池能够在所有方向上折射太阳光线,由此增加了半导体层中太阳光线的路径长度。因此,提高了太阳能电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜型太阳能电池,包括:基板;包含珠粒和粘结剂的光散射膜,其中提供所述粘结剂用来粘结所述珠粒;在所述光散射膜上的前电极层;在所述前电极层上的半导体层;和在所述半导体层上的后电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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