[发明专利]具有三维内部互联和CCD的图像传感器有效
申请号: | 200980151624.0 | 申请日: | 2009-12-07 |
公开(公告)号: | CN102341911A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | J·R·萨马;J·P·麦卡特恩 | 申请(专利权)人: | 美商豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 毛力 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像传感器及相关联的图像捕获器件和方法包括具有多个电荷储存元件的感测晶片。一个或多个浮动扩散区与多个电荷储存元件相关联,且电荷在电荷储存组件中被传输至该一个或多个浮动扩散区。该感测晶片上的一个或多个浮动扩散区电连接至电路晶片上的支持电路。 | ||
搜索关键词: | 具有 三维 内部 ccd 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,包括:感测晶片,包括多个电荷储存元件和与所述多个电荷储存元件相关联的一个或多个浮动扩散区,其中电荷从所述电荷储存元件中被传输至所述一个或多个浮动扩散区;以及电路晶片,包括用于所述感测晶片的支持电路,其中所述一个或多个浮动扩散区电连接至所述支持电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的