[发明专利]功率用半导体装置有效
申请号: | 200980152025.0 | 申请日: | 2009-06-30 |
公开(公告)号: | CN102265404A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 中田修平;渡边昭裕;大塚健一;三浦成久 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L27/04;H01L29/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 许海兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及功率用半导体装置的构造,特征在于,以使面积大的P阱区域(41)与栅电极(50)不经由栅极绝缘膜(70)相向的方式,使面积大的P阱区域(41)与栅电极(50)经由厚度比栅极绝缘膜(70)厚的场氧化膜(30)而相向,或者在下部具有面积大的P阱区域(41)的栅极绝缘膜(70)的上部不设置栅电极(50)。 | ||
搜索关键词: | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种功率用半导体装置,其特征在于,具备:第1导电类型的半导体基板(20),具有相互相向的第1主面以及第2主面;第2导电类型的第1阱区域(41),设置于所述第1导电类型的半导体基板的第1主面的表层的一部分;第2导电类型的第2阱区域(42),设置于所述第1导电类型的半导体基板的第1主面的表层的一部分,从上面看到的面积比所述第1阱区域小;栅极绝缘膜(70),设置在所述第2阱区域的表面上;场氧化膜(30),设置于所述第1阱区域的表面上的一部分,膜厚比所述栅极绝缘膜大;源电极(10),将所述第1阱区域和所述第2阱区域进行电连接;在所述栅极绝缘膜和所述场氧化膜之上相接而连续地形成的栅电极(50);栅极焊盘(11),设置于所述第1阱区域的上方,与所述栅电极电连接;以及漏电极(13),设置于所述半导体基板的第2主面,在与所述场氧化膜相接地在所述场氧化膜的上表面设置的所述栅电极从所述场氧化膜露出的部位的所述栅极绝缘膜与所述场氧化膜的接合部附近,在所述场氧化膜的外周的内侧设置有所述第1阱区域的外周边界。
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