[发明专利]受光元件、受光元件阵列、制造受光元件的方法以及制造受光元件阵列的方法

摘要

本发明提供一种受光元件，其在近红外区域中具有灵敏度且其中易于获得良好的晶体品质，可在高准确度下容易地形成受光元件的一维或二维阵列，并能够降低暗电流；受光元件阵列；及其制造方法。所述受光元件包含III-V族化合物半导体层叠结构，所述层叠结构包含内部具有pn结15的吸收层3，其中所述吸收层具有由III-V族化合物半导体构成的多量子阱结构，所述pn结15通过将杂质元素选择性扩散到所述吸收层中而形成，且在所述吸收层中所述杂质元素的浓度为5×1016/cm3以下。

主权项

一种包含III‑V族化合物半导体层叠结构的受光元件，所述层叠结构包含内部具有pn结的吸收层，其中所述吸收层具有由III‑V族化合物半导体构成的多量子阱结构，通过将杂质元素选择性扩散到所述吸收层中而形成所述pn结，以及在所述吸收层中所述杂质元素的浓度为5×1016/cm3以下。