[发明专利]钝化膜形成用成膜装置和成膜方法、以及太阳能电池元件的制造方法有效
申请号: | 200980152288.1 | 申请日: | 2009-12-28 |
公开(公告)号: | CN102265407A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 久保昌司;菊地诚;斋藤一也;渡井美和;清水美穗 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 崔成哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的课题在于,提供一种形成钝化膜的成膜方法和成膜装置、以及使用它的太阳能电池元件的制造方法,所述钝化膜能够充分抑制载流子的再结合所造成的损失。具备:载置部(22),载置成膜对象;高频电源(25);以及喷板(23),设置成与载置在载置部(22)的成膜对象(S)相对,导入成膜气体并且连接高频电源来施加高频率的电压,其中,在喷板或者基板载置部上连接了施加低频率的电压的低频电源(26)。使用该成膜装置来实施成膜方法,在形成钝化膜时实施该成膜方法。 | ||
搜索关键词: | 钝化 形成 用成膜 装置 方法 以及 太阳能电池 元件 制造 | ||
【主权项】:
一种钝化膜形成用成膜装置,其特征在于,具备:载置部,载置成膜对象;高频电源;以及喷板,设置成与载置在所述载置部的成膜对象相对,导入成膜气体并且连接所述高频电源来施加高频率的电压,其中,对所述喷板或者所述载置部连接了施加低频率的电压的低频电源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科,未经株式会社爱发科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980152288.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于形成转子的方法、模具和模具系统
- 下一篇:工程机械的液压泵控制装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的