[发明专利]半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件无效
| 申请号： | 200980152312.1 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102265415A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 樱井哲朗 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法，其中该制造方法具有使用由与构成半导体层的材料不同的材料形成的基板，并在该基板上成膜出III族化合物半导体层的工序，能够减小所得到的半导体发光层的发光波长分布σ。本发明提供的半导体发光元件的制造方法，是制造具有III族化合物半导体层的半导体发光元件的方法，其特征在于，具有：化合物半导体基板形成工序，该工序在基板上成膜出至少一层化合物半导体层，形成翘曲量H在50μm≤H≤250μm的范围的化合物半导体基板；和发光层形成工序，该工序在所形成的所述化合物半导体基板上形成包含多个III族化合物半导体层的发光层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件的制造方法，是制造具有III族化合物半导体层的半导体发光元件的方法，其特征在于，具有：化合物半导体基板形成工序，该工序在基板上成膜出至少一层化合物半导体层，形成翘曲量H在50μm≤H≤250μm的范围的化合物半导体基板；和发光层形成工序，该工序在所形成的所述化合物半导体基板上形成包含多个III族化合物半导体层的发光层。
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