[发明专利]氧化铪或氧化锆镀层有效
| 申请号： | 200980152495.7 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102264940A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | M·谢勒 | 申请（专利权）人： | 莱博德光学有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 德国阿*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及光学镀层(3，3’)，所述镀层在可见光区至近紫外光区(即，直到220nm的波长)的光谱范围内具有高折射率和良好的光学特性(即，低吸收和散射)以及低的内应力。根据本发明的镀层(3，31)由含有铪或锆的氧化物HfxSiyOz或ZrxSiyOz组成，其硅含量(y)为1at-％至10at-％，特别地为1.5at-％至3at-％。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 氧化锆 镀层 | ||
【主权项】：
一种由含有铪或锆的氧化物组成的镀层(3，3’)，其特征在于，所述含有铪或锆的氧化物的硅含量(y)为1at‑％至10at‑％，特别是1.5at‑％至3at‑％。
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