[发明专利]用于沉积具有降低电阻率及改良表面形态的钨膜的方法有效
| 申请号： | 200980152590.7 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102265383A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 吴凯;阿米特·卡恩德尔沃尔;阿维格尼诺斯·V·格拉托斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种控制钨膜的电阻率与形态的方法，该方法包含：在第一沉积阶段期间，通过下列步骤在基板上沉积块材钨层的第一膜：(i)将连续流动的还原气体与脉冲式流动的含钨化合物导入工艺腔室，以在该基板的表面上沉积钨；(ii)使该还原气体而不使该含钨化合物流入该工艺腔室，以净化该工艺腔室；以及(iii)重复步骤(i)～(ii)，直到该第一膜填满了该基板的表面中的介层洞为止；增加该工艺腔室中的压力；以及在该第一沉积阶段之后的第二沉积阶段期间，通过提供还原气体与含钨化合物流到该工艺腔室而直到已沉积第二期望厚度为止，以沉积该块材钨层的第二膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 具有 降低 电阻率 改良 表面 形态 方法 | ||
【主权项】：
一种控制钨膜的电阻率与形态的方法，包含：(a)将基板定位于工艺腔室中；(b)在第一沉积阶段期间，通过下列步骤来沉积块材钨层的第一膜：(i)将连续流动的还原气体与脉冲式流动的含钨化合物导入该工艺腔室，以在该基板的表面上沉积钨；(ii)使该还原气体而不使该含钨化合物流入该工艺腔室，以净化该工艺腔室；以及(iii)重复步骤(i)～(ii)，直到该第一膜填满了该基板的表面中的介层洞为止；(c)增加该工艺腔室中的压力；以及(d)在该第一沉积阶段之后的第二沉积阶段期间，通过将连续流动的还原气体与含钨化合物导入该工艺腔室而直到已沉积第二期望厚度为止，以沉积该块材钨层的第二膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司，未经应用材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980152590.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像修正处理电路、半导体装置、图像修正处理装置
- 下一篇：无级变速装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
