[发明专利]气体监测装置、燃烧状态监测装置、长期变化监测装置和杂质浓度监测装置

摘要

公开了一种气体监测装置，所述气体监测装置能够在没有冷却机构的情况下减小暗电流并且能够使用具有的光接收敏感性扩展到不小于1.8μm波长的InP基光电二极管以以高敏感性来监测气体。该气体监测装置的特征在于，该气体监测装置包括光接收层(3)，其具有由III-V族半导体的多量子阱结构；pn结(15)，其通过在光接收层中选择性地扩散杂质元素来形成，该光接收层中的杂质浓度不大于5×1016/cm3，以及该气体监测装置接收具有不大于3μm的至少一个波长的光以检测气体中所包含的气体成分等。

主权项

一种气体监测装置，其用于使用具有3μm以下的波长范围的近红外区中的光来监测气体，所述气体监测装置包括：光接收元件，所述光接收元件接收所述近红外区中的光，其中，所述光接收元件包括：吸收层，所述吸收层形成在InP衬底上并且具有多量子阱结构，所述吸收层具有1.8μm以上且3μm以下的带隙波长；以及扩散浓度分布控制层，所述扩散浓度分布控制层设置在所述吸收层的表面侧上，该表面侧位于所述InP衬底的相反侧，所述扩散浓度分布控制层具有比InP的带隙小的带隙，在所述光接收元件中，通过经由所述扩散浓度分布控制层来选择性地扩散杂质元素来形成pn结以至到达所述吸收层，所述吸收层中的所述杂质元素的浓度为5×1016/cm3以下，并且所述光接收元件从所述气体接收具有至少一个3μm以下的波长的光，以检测所述气体中包含的气体成分等。