[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管中的稳定性增强有效
| 申请号： | 200980152640.1 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102265405A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·D·泰斯;大卫·H·瑞丁格尔 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张爽;樊卫民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体薄膜晶体管(TFT)结构的电介质层中的等离子体氢化区域提高了TFT的稳定性。TFT是包括电极、设置在电极上的电介质层和电介质层上的金属氧化物半导体的多层结构。在沉积半导体之前将电介质层暴露于含氢等离子体使得在半导体-电介质界面上产生等离子体氢化区域。等离子体氢化区域并入氢，从半导体/电介质界面至所述电介质层和所述半导体层中的一者或两者的本体中，氢的浓度降低。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 薄膜晶体管 中的 稳定性 增强 | ||
【主权项】：
一种制造多层半导体结构的方法，该方法包括：形成电极层；形成靠近所述电极层的电介质层；在形成所述电介质层之后，将所述电介质层暴露于含氢等离子体；和在将所述电介质层暴露于所述含氢等离子体之后，形成靠近所述电介质层的金属氧化物半导体层。
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