[发明专利]硅基纳米级交叉存储器

摘要

本申请描述了一种交叉存储阵列。该交叉存储阵列包括第一材料的平行纳米线的第一阵列和第二材料的平行纳米线的第二阵列。第一阵列和第二阵列彼此以一定角度定向。阵列还包括在两个阵列的每个交叉点处沉积在第一材料的纳米线与第二材料的纳米线之间的多个纳米结构的非晶硅。纳米结构与第一材料和第二材料的纳米线一起形成电阻存储单元。

主权项

一种交叉存储阵列，包括：第一材料的纳米线的第一阵列；不同的第二材料的纳米线的第二阵列，所述第二阵列与所述第一阵列成一定角度定向；以及多个非晶硅纳米结构，所述第一阵列和所述第二阵列的每个交叉点包括沉积在所述第一材料的纳米线与所述第二材料的纳米线之间的所述非晶硅纳米结构中的一个以形成电阻存储单元。