[发明专利]基于排列的高深宽比纳米粒子网络的电子设备的制造方法有效
申请号: | 200980153061.9 | 申请日: | 2009-12-01 |
公开(公告)号: | CN102272967A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | V·叶尔莫洛夫 | 申请(专利权)人: | 诺基亚公司 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L51/30;B82B3/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 杨博;杨晓光 |
地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 芬兰;FI |
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摘要: | 在衬底上应用的电场的影响下,在所述衬底的表面上设置高深宽比纳米粒子的层。为了建立电场,在设置在衬底临近的电极对之间或在衬底上应用电压,以及在衬底上设置的高深宽比纳米粒子至少部分地沿着应用的电场的方向排列。高深宽比纳米粒子从浮粒中的催化剂纳米粒子生长,以及该浮粒直接用于在室温下形成衬底上的纳米粒子层。纳米粒子可以是碳纳米管,特别地是单壁碳纳米管。具有在上面设置排列的高深宽比纳米粒子的层的衬底可用于制造纳米电子设备。 | ||
搜索关键词: | 基于 排列 高深 纳米 粒子 网络 电子设备 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:提供高深宽比纳米粒子的浮粒悬浮;以及在衬底上应用的电场的影响下,在所述衬底的表面上设置所述高深宽比纳米粒子的层;其中在所述衬底上设置的所述高深宽比纳米粒子至少部分地排列。
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