[发明专利]用于具有集成RF发送放大器的MRI的梯度线圈组件无效
申请号: | 200980153172.X | 申请日: | 2009-11-23 |
公开(公告)号: | CN102272615A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | C·洛斯勒 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | G01R33/36 | 分类号: | G01R33/36;G01R33/3415 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;蹇炜 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种磁场梯度线圈组件,包括:结构线圈架(20,70,90,110);一个或多个磁场梯度线圈(22,24),被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中;冷却导管(52,76,92,116),被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中,并被配置为使冷却流体流动,以去除所述一个或多个磁场梯度线圈生成的热;以及射频功率放大器(40,42,98),被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中。 | ||
搜索关键词: | 用于 具有 集成 rf 发送 放大器 mri 梯度 线圈 组件 | ||
【主权项】:
一种磁场梯度线圈组件,包括:结构线圈架(20,70,90,110);一个或多个磁场梯度线圈(22,24),被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中;冷却导管(52,76,92,116),被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中,并被配置为使冷却流体流动,以去除所述一个或多个磁场梯度线圈生成的热;以及射频功率放大器(40,42,98),被设置于所述结构线圈架上或所述结构线圈架中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司,未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980153172.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种LED及其封装方法
- 下一篇:一种图形化蓝宝石衬底的干法刻蚀方法