[发明专利]利用双磁场向主体中的顺磁结构施加转矩无效
| 申请号： | 200980153387.1 | 申请日： | 2009-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN102271756A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 戴门特·保罗;特克特·伊利亚 | 申请（专利权）人： | 纽约城哥伦比亚大学理事会 |
| 主分类号： | A61N2/00 | 分类号： | A61N2/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李世喆 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于向主体中的微观顺磁结构施加转矩的技术，包括：使主体同时暴露于沿第一方向在第一频率下振荡的第一磁场和不同的沿第二方向在第二频率下振荡的第二磁场。该主体包括多个微观顺磁结构，所述多个微观顺磁结构的针对第一磁场的磁感系数不同于其针对第二磁场的磁感系数。这样的技术对于使动物的疾病症状好转是有效的，包括疟疾，其中动物中的疾病原体或患病细胞选择性地包括顺磁结构。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 磁场 主体 中的 结构 施加 转矩 | ||
【主权项】：
一种向主体中的微观顺磁结构施加转矩的方法，包括：使主体同时暴露于沿第一方向在第一频率下振荡的第一磁场和不同的沿第二方向在第二频率下振荡的第二磁场，其中所述主体包括多个微观顺磁结构，所述多个微观顺磁结构的针对所述第一磁场的磁感系数不同于针对所述第二磁场的磁感系数。
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