[发明专利]双层BOX背栅极绝缘体上硅晶片的低成本制造

摘要

一种用于集成电路器件的半导体晶片结构，包括：体衬底；下部绝缘层，形成在体衬底上；导电层，形成在下部绝缘层上；上部绝缘层，形成在导电层上，上部绝缘层从成对的分离的绝缘层形成，在这成对的分离的绝缘层之间具有键合界面；以及半导体层，形成在上部绝缘层上。

主权项

一种形成用于集成电路器件的半导体晶片结构的方法，所述方法包括：形成第一衬底部分，其具有第一体衬底，在所述第一体衬底上形成的第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成的导电层，以及在所述导电层上形成的第二绝缘层；形成第二衬底部分，其具有第二体衬底，在所述第二体衬底上形成的牺牲层，在所述牺牲层上形成的半导体层，以及在所述半导体层上形成的第三绝缘层；将所述第一衬底部分键合到所述第二衬底部分以在所述第二绝缘层与所述第三绝缘层之间界定键合界面；在所述第二体衬底或者所述牺牲层内的位置处分离所产生的键合结构，并且移除所述第二体衬底；以及移除所述牺牲层的任何剩余部分，以便界定双层隐埋绝缘体背栅极绝缘体上半导体结构，其中所述第一绝缘层构成下部绝缘层，键合的所述第二绝缘层和所述第三绝缘层一起构成上部绝缘层，所述半导体层构成绝缘体上半导体层，所述导电层构成背栅极层，并且所述第一体衬底构成所述双层隐埋绝缘体背栅极绝缘体上半导体结构的体衬底。