[发明专利]具有放射状阻挡体的磁存储器单元有效
| 申请号： | 200980153752.9 | 申请日： | 2009-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102272964A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | P·安德森;S·薛 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 磁性隧穿结单元与制造磁性隧穿结单元的方法，该磁性隧穿结包括至少紧邻单元的铁磁自由层(112)延伸的放射状保护层(120)。可特定地选择该放射状保护层的厚度、沉积方法、材料成分、和/或沿着单元层的程度以便增强自由层的有效磁性质，有效磁性质包括有效矫顽力、有效磁各向异性、有效磁矩散布、或有效自旋极化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 放射 阻挡 磁存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种磁性隧穿结单元，包括：铁磁自由层、铁磁被钉扎层、以及它们之间的阻挡层；放射状地至少包围所述自由层的保护层；放射状地至少包围所述阻挡层的电绝缘隔离层；以及放射状地包围所述自由层、被钉扎层、阻挡层、保护层、以及隔离层的全部的绝缘材料。
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