[发明专利]自旋力矩转移磁性随机存取存储器单元结构有效

专利信息
申请号: 200980154150.5 申请日: 2009-12-17
公开(公告)号: CN102272844A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 刘峻;古尔特杰·桑胡 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C11/15 分类号: G11C11/15;G11C11/16
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供一种包含非磁性桥接器的磁性单元结构及用于制造所述结构的方法。所述磁性单元结构包含自由层、钉扎层及电连接所述自由层与所述钉扎层的非磁性桥接器。所述非磁性桥接器的形状及/或配置引导编程电流穿过所述磁性单元结构,以使得所述编程电流在所述结构的所述自由层中的截面积小于所述结构的截面。所述编程电流在所述自由层中的所述截面积的减小使得较低编程电流能够达到所述自由层中的临界切换电流密度且切换所述自由层的磁化,从而编程所述磁性单元。
搜索关键词: 自旋 力矩 转移 磁性 随机存取存储器 单元 结构
【主权项】:
一种磁性单元结构,其包括:自旋阀,其包括:自由层;及钉扎层;及非磁性桥接器,其介于所述自由层与所述钉扎层之间。
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