[发明专利]具有未固定基准层和单向写电流的自旋扭矩位单元

摘要

用于使用单向写电流在诸如改良的STRAM单元等非易失性存储器单元中存储不同逻辑状态的方法与装置。在一些实施例中，存储器单元具有与被包覆的导体相邻的未固定铁磁基准层、铁磁存储层、以及在基准层与存储层之间的隧穿阻挡体。电流沿着被包覆导体的通过在基准层中感生所选磁性取向，所选磁性取向通过隧穿阻挡体转移以用于由存储层来存储。此外，施加步骤的取向由与导体相邻的包层提供，电流沿着该导体被传递，且电流在所选磁性取向的包层中感生磁场。

主权项

一种方法，包括：向存储器单元的第一层施加所选的磁性取向，所述第一层配置成接受多个不同的磁性取向；以及将所述第一层的所施加磁性取向隧穿到所述存储器单元的第二层，所述第二层配置成接受多个磁性取向，其中所述第二层维持所施加的磁性取向以便指示所述单元的逻辑状态，且所述施加步骤的取向由与导体相邻的包层所提供，电流沿着所述导体传递，其中所述电流在所选磁性取向的所述包层中感生磁场。