[发明专利]用于透明电子装置的透明存储器无效
申请号: | 200980154436.3 | 申请日: | 2009-07-23 |
公开(公告)号: | CN102282673A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 徐重源;林宏树;朴在佑;梁智焕;姜尚廷 | 申请(专利权)人: | 韩国科学技术院 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 林锦辉;许向彤 |
地址: | 韩国大*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及用于透明电子装置的透明存储器。所述透明存储器包括:顺序地形成在透明衬底上的下透明电极层、由至少一个透明的电阻可变材料层制成的数据存储区域和上透明层。由于在所述下透明电极层和所述上透明电极层之间施加的一定电压导致的电阻变化,所述透明的电阻可变材料层具有开关特性。所述透明的电阻可变材料层的光学带隙是3eV或更大,并且所述材料层对于可见光线的透射率是80%或更大。本发明提供透明的和电阻可变的存储器:它具有极高的透明性,和根据在低开关电压下的电阻变化而具有开关特性,并且在经过长时间后,该存储器可以保持它的开关特性。 | ||
搜索关键词: | 用于 透明 电子 装置 存储器 | ||
【主权项】:
一种用于透明电子装置的透明存储器,包括:顺序地形成在透明衬底上的下透明电极层、数据存储区域、和上透明电极层,所述数据存储区域形成为至少一个透明的电阻可变材料层,其中,所述透明的电阻可变材料层根据电阻变化而具有开关特性,所述电阻变化基于在所述下透明电极层和所述上透明电极层之间施加的预定电压,并且所述透明的电阻可变材料层具有3eV或更大的光学带隙以及具有80%或更大的可见光透射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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