[发明专利]同心的中空阴极磁控管溅射源无效
| 申请号： | 200980154576.0 | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102282286A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·布鲁尔斯;杜米尼克·施密特;迈克尔·豪兰;戴夫·科雷亚;亚特·舒伦伯格 | 申请（专利权）人： | 4D-S有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/00 | 分类号： | C23C14/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;郑霞 |
| 地址： | 澳大利亚西*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 公开了一种允许在比先前已获得的压强低一或两个数量级的压强下进行高速沉积的新的溅射源。这产生具有对基材减少的离子和电子损坏的较致密的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 同心 中空 阴极 磁控管 溅射 | ||
【主权项】：
一种在真空室内的同心的溅射源，所述同心的溅射源包括外环中的两排磁体和内环中的两排磁体。
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