[发明专利]纳米结构器件有效
申请号: | 200980154592.X | 申请日: | 2009-11-16 |
公开(公告)号: | CN102282679A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | B.A.布蔡恩;F.莫达瓦;M.R.布莱克 | 申请(专利权)人: | 班德加普工程有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;王忠忠 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了一种光伏器件。其包括至少两个电接触部、p型掺杂剂和n型掺杂剂。其还包括体区和与体区接触的对准阵列中的纳米线。阵列中的所有纳米线具有一个支配类型的掺杂剂,即n或p,并且至少一部分体区也包括该支配类型的掺杂剂。体区的包括支配类型的掺杂剂的部分典型地接触纳米线阵列。于是将在体区中找到光伏器件的p-n结。光伏器件通常将包括硅。 | ||
搜索关键词: | 纳米 结构 器件 | ||
【主权项】:
一种光伏器件,包括至少两个电接触部、p型掺杂剂和n型掺杂剂,进一步还包括体区和与所述体区接触的对准阵列中的纳米线,其中所述阵列中的所有纳米线具有一个支配类型的掺杂剂,即n或p,并且至少一部分的所述体区也包括该支配类型的掺杂剂,其中体器件的表面基本上沿平面伸展并且所述纳米线对准得垂直于该平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的