[发明专利]磁隧道结叠层无效

专利信息
申请号: 200980154682.9 申请日: 2009-12-02
公开(公告)号: CN102282620A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: R·韦格;F·B·曼考夫;N·D·里佐;P·G·玛泽 申请(专利权)人: 艾沃思宾技术公司
主分类号: G11C11/00 分类号: G11C11/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种磁隧道结结构,包括铁的层,其设置在隧道阻挡物和自由磁性元件之间,具有在10至的范围内的厚度,导致高的磁电阻、低的阻尼、和改善的关键切换电压对隧道阻挡物击穿电压的比Vc/Vbd,以改善自旋矩产率和可靠性,同时要求仅低温度退火。该改善的结构还具有非常低的电阻-面积积,在自由磁性元件和电极之间的MgON扩散阻挡物,以防止电极到自由层中的扩散,这有助于保持阻尼低,并因此也保持切换电压低。利用低退火温度,击穿电压高,导致理想的比Vc/Vbd,并导致高比例的器件在击穿之前切换,因此改善了器件的产率和可靠性。
搜索关键词: 隧道 结叠层
【主权项】:
1.一种磁隧道结,包括:第一电极;与所述第一电极邻接的固定磁性元件;自由磁性元件;设置在所述固定磁性元件和所述自由磁性元件之间的隧道阻挡物;以及铁的第一层,其具有在0.5至范围内的厚度,并且设置得与所述隧道阻挡物相邻。
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