[发明专利]发光器件用衬底无效
| 申请号： | 200980154826.0 | 申请日： | 2009-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102282684A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 八乡昭广;中村孝夫;吉村雅司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;H01L21/205;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种缺陷最少的发光器件用衬底，其使得发射的光能够从器件的衬底侧面射出，且本发明提供一种发光器件用衬底(100)，其具有对波长为400nm～600nm的光透明的透明衬底(10)；和通过接合而形成在所述透明衬底(10)的一个主表面上的氮化物类化合物半导体薄膜(1c)。设所述透明衬底在与所述透明衬底的主表面垂直的方向上的热膨胀系数为α1，且设所述氮化物类化合物半导体薄膜的热膨胀系数为α2，则(α1-α2)/α2为-0.5～1.0，并在1200℃以下的温度下，所述透明衬底不会与所述氮化物类化合物半导体薄膜(1c)反应。所述透明衬底(10)的绝对折射率优选是所述氮化物类化合物半导体薄膜的绝对折射率的60％～140％。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 衬底 | ||
【主权项】：
一种发光器件用衬底，其包含：对波长为400nm～600nm的光透明的透明衬底；和通过接合而形成在所述透明衬底的一个主表面上的氮化物类化合物半导体薄膜；在该发光器件用衬底中，设所述透明衬底在与所述透明衬底的主表面垂直的方向上的热膨胀系数为α1，且设所述氮化物类化合物半导体薄膜的热膨胀系数为α2，则(α1‑α2)/α2为‑0.5～1.0，以及在1200℃以下的温度下，所述透明衬底不会与所述氮化物类化合物半导体薄膜反应。
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