[发明专利]用CVD涂敷基板的装置与方法有效
| 申请号： | 200980155264.1 | 申请日： | 2009-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN102292795A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | M.鲁弗;S.罗西瓦尔;C.巴雷斯;W.雷克特;O.莱莫;M.珀尔 | 申请（专利权）人： | 迪亚康有限责任公司;塞梅康股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/27 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及采用CVD涂敷基板(14)的装置，特别是用金刚石或硅涂敷基板的方法，其中在外壳(10)中设置包括延伸的多个加热导体(2)的加热导体阵列，所述加热导体延伸在第一电极(1)和第二电极(8)之间，其中加热导体(2)通过连接到其一端的拉伸装置而各自保持拉紧。处于改善加热导体(2)的寿命的目的，本发明提出拉伸装置包括具有拉伸重量(G)的倾斜臂(5)，加热导体(2)连接到所述倾斜臂的第一端(E1)，而所述倾斜臂的第二端能够基本围绕水平轴(H)旋转地被支撑。 | ||
| 搜索关键词： | cvd 涂敷基板 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种采用CVD涂敷基板(14)的装置，特别是用金刚石或硅涂敷基板的装置，其中在外壳(10)中设置由纵向延伸的多个加热导体(2)构成的加热导体阵列，所述纵向延伸的多个加热导体(2)延伸在第一电极(1)和第二电极(8)之间，其中各所述加热导体(2)通过安装在其一端的拉伸单元而各自保持紧绷，所述装置的特征在于：所述拉伸单元包括具有拉伸重量(G)的旋转臂(5)，所述加热导体(2)安装在所述旋转臂(5)的第一端(E1)上，所述旋转臂(5)的第二端(E2)能够基本围绕水平轴(H)旋转地被支撑。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于迪亚康有限责任公司;塞梅康股份公司，未经迪亚康有限责任公司;塞梅康股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980155264.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于监测物体的方法和设备
- 下一篇：烧结方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
