[发明专利]硅酸锂系化合物的制造方法无效

专利信息
申请号: 200980156052.5 申请日: 2009-11-20
公开(公告)号: CN102300811A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 小岛敏胜;境哲男;幸琢宽;奥村妥绘;小岛晶;丹羽淳一;村濑仁俊 申请(专利权)人: 独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社丰田自动织机
主分类号: C01B33/32 分类号: C01B33/32;C01B33/12;H01M4/58
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 苗堃;金世煜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种硅酸锂系化合物的制造方法以及由通过该方法得到的硅酸锂系化合物所形成的锂离子二级电池用正极活性物质。其特征在于,在由选自碳酸钾、碳酸钠、碳酸铷和碳酸铯中的至少一种碱金属碳酸盐和碳酸锂形成的碳酸盐混合物的熔融盐中,在含二氧化碳和还原性气体的混合气体的气氛下,将以Li2SiO3表示的硅酸锂化合物与含选自铁和锰中的至少一种过渡金属元素的物质,在400~650℃下进行反应。根据本发明,能够以比较简单的手段制造作为锂离子二级电池用正极材料等有用的硅酸锂系材料。
搜索关键词: 硅酸 化合物 制造 方法
【主权项】:
一种硅酸锂系化合物的制造方法,其特征在于,在由选自碳酸钾、碳酸钠、碳酸铷和碳酸铯中的至少一种碱金属碳酸盐和碳酸锂形成的碳酸盐混合物的熔融盐中,在含二氧化碳和还原性气体的混合气体的气氛下,使以Li2SiO3表示的硅酸锂化合物与含选自铁和锰中的至少一种过渡金属元素的物质在400~650℃下进行反应。
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