[发明专利]用于形成半导体材料的外延方法和结构无效
| 申请号： | 200980156217.9 | 申请日： | 2009-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN102308369A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | C·阿雷纳 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种制造具有提高的特性的半导体材料、衬底和器件的方法和结构。用于形成应变减小的结构的结构和方法包括形成基本应变松弛的多个岛结构，以及将这些岛结构用于后续的应变松弛基本连续半导体材料层的进一步生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 半导体材料 外延 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种制造半导体结构的方法，该方法包括：形成具有第一材料成分的多个随机分布的岛结构，特别是通过外延生长在晶格失配的基底衬底上形成；从所述岛结构开始进一步生长，所述进一步生长的成分包括第二材料成分；以及进行纵向生长以形成纵向生长层，所述纵向生长层的成分包括第三材料成分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司，未经S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980156217.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
