[发明专利]用于通过激光能量照射半导体材料表面的方法和设备有效
申请号: | 200980156319.0 | 申请日: | 2009-12-21 |
公开(公告)号: | CN102307696A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 茱利安·温特维尼 | 申请(专利权)人: | 爱克西可法国公司 |
主分类号: | B23K26/00 | 分类号: | B23K26/00;B23K26/03 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;郑霞 |
地址: | 法国热*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及用于照射半导体材料的方法,其包括:以具有激光照射参数的第一激光器照射半导体材料层表面的区域以熔化至少部分区域;以及通过调节照射参数控制照射过程;其特征在于所述方法还包括确定熔化的区域部分的深度。此外,本发明涉及用于照射半导体材料的设备,其包括:第一激光器,其用于照射半导体层表面的区域以熔化至少部分区域,所述激光器具有激光照射参数;以及控制器,其用于通过调节激光照射参数控制照射过程;其特征在于所述设备还包括用于确定熔化的区域部分的深度的装置。 | ||
搜索关键词: | 用于 通过 激光 能量 照射 半导体材料 表面 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种用于照射半导体材料的方法,包括: 利用具有激光照射参数的第一激光器照射半导体材料层表面的区域,以熔化所述区域的至少一部分; 以及通过调节所述照射参数来控制照射过程;其特征在于所述方法还包括确定熔化的区域部分的深度。
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