[发明专利]有机电致发光元件及其制造方法无效
申请号: | 200980156415.5 | 申请日: | 2009-04-14 |
公开(公告)号: | CN102388477A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 寺尾丰 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种有机电致发光元件及其制造方法。本发明提供一种低电压、高效率的顶部发射型或透明有机EL元件。本发明的有机EL元件在支承基板上依次设置有阳极、有机EL层以及阴极。有机EL层从阳极侧起依次至少设置有空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注射层。空穴传输层、发光层以及电子传输层包括有机材料。阴极包括透明导电氧化物材料。有机EL元件的特征在于,电子注射层包括光学带隙为2.1eV以上的n-型硫族化物半导体。此外,本发明的有机EL元件的制造方法的特征在于,电子注射层包括通过不使用等离子体放电的物理气相生长法形成的n-型硫族化物半导体。 | ||
搜索关键词: | 有机 电致发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种有机EL元件,在支承基板上依次包括阳极、有机EL层和阴极,其中,所述有机EL层从所述阳极侧起至少依次设置有空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注射层,所述空穴传输层、发光层和电子传输层包括有机材料,所述阴极包括透明的导电氧化物,所述电子注射层包括具有2.1eV以上的光学带隙的n‑型硫族化物半导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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