[发明专利]3B族氮化物的晶体生长方法及3B族氮化物晶体有效
| 申请号： | 200980156873.9 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN102317512A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 下平孝直;平尾崇行;今井克宏 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B9/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 徐申民;李晓 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在使氮化镓晶体生长时，将晶种基板浸泡于含有镓和钠的混合熔液中。接着，在含氮气不含氧气的加压气氛下，以加热混合熔液的状态，使氮化镓晶体生长在晶种基板上。此时，作为搅拌混合熔液的条件，先采用第1搅拌条件，其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变凹凸，其后，再采用第2搅拌条件，其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变平滑。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 晶体生长 方法 晶体 | ||
【主权项】：
一种3B族氮化物的晶体生长方法，将晶种基板浸泡于含有3B族金属和助熔剂的混合熔液中，在含氮气不含氧的加压气氛下，以加热的状态使3B族氮化物晶体生长在所述晶种基板上，作为搅拌所述混合熔液的条件，采用第1搅拌条件，其被设定为使生长面变凹凸，使所述3B族氮化物晶体生长，其后，作为搅拌所述混合熔液的条件，采用第2搅拌条件，其被设定为使生长面变平滑，使所述3B族氮化物晶体生长。
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