[发明专利]晶体管以及晶体管控制系统无效
| 申请号： | 200980156954.9 | 申请日： | 2009-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102326238A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 田中健一郎;上田哲三 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L23/58;H01L29/778;H01L29/812 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 晶体管具备晶体管主体(100)、和对晶体管主体施加应力的应力施加部(200)。晶体管主体(100)具有形成基板(101)、在形成基板(101)之上依次层叠的第一半导体层(105)以及与第一半导体层(105)相比带隙大的第二半导体层(107)。应力施加部(200)按照施加于第二半导体层(107)的拉伸应力随温度的上升而变大的方式对晶体管主体(100)施加应力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 以及 控制系统 | ||
【主权项】：
一种晶体管，具备：晶体管主体，其具有形成基板、在该形成基板之上依次层叠的第一半导体层以及与该第一半导体层相比带隙大的第二半导体层；和应力施加部，其对所述晶体管主体施加应力，以使施加于所述第二半导体层的拉伸应力随温度的上升而变大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
