[发明专利]用于集成电路的面对面(F2F)复合式结构有效
| 申请号： | 200980157215.1 | 申请日： | 2009-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102326247A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | L·马蒂内;R·R·托帕齐勒;Y·S·洛 | 申请（专利权）人： | ATI技术无限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/60;H01L21/98;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/50 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种包含重新分配层(RDL)的集成电路(IC)产品，该重新分配层(RDL)具有组构成在该集成电路中自一位置分配电气信息至另一位置的至少一导电层。该RDL也包含多个导线接合垫与多个焊垫。该等多个焊垫各包含与该RDL直接电气连通的焊料湿润材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 面对面 f2f 复合 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路(IC)，包含：由至少一导电层构成的重新分配层(RDL)，该至少一导电层组构成在该集成电路中自一位置分配电气信息至另一位置，该RDL至少有多个导线接合垫及多个焊垫，其中该等多个焊垫各包含与该RDL直接电气连通的焊料湿润材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
