[发明专利]半导体芯, 整体化纤维状光生伏打装置无效
申请号: | 200980157284.2 | 申请日: | 2009-12-14 |
公开(公告)号: | CN102318075A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 凡卡塔·A·巴哈嘎瓦图拉;D·J·麦克恩罗 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/048;H01L31/052;G02B6/42;H01L21/225 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 沙永生 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种具有光学性质的杆,其包括以下部分:由半导体材料形成的芯;围绕所述芯共轴取向的由玻璃、玻璃-陶瓷或聚合物形成的透明的外覆层,所述杆可以用来制造光生伏打装置,该装置包括:半导体芯,该半导体芯包括至少一个p-n结,所述p-n结由相应的n型和p型区域限定;与所述半导体芯成共轴关系的基本透明的外覆层,形成纵向取向的杆;第一电极和第二电极,各个电极与n型区域和p型区域中相应的一种区域电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 整体 化纤 维状光生伏打 装置 | ||
【主权项】:
一种方法,该方法包括:制备空心坯件,该空心坯件适合用于坯件再拉制工艺;将半导体材料引入所述坯件的空心部分;在再拉制炉内对所述坯件和半导体材料进行加热,使得所述坯件和半导体材料流动;以及同时对所述坯件和半导体材料进行拉制,使得半导体材料的芯在由所述空心坯件制得的外覆层内共轴取向,从而形成杆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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