[发明专利]固态成像元件及其制造方法以及电子信息设备有效
申请号: | 200980157488.6 | 申请日: | 2009-12-18 |
公开(公告)号: | CN102334188A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 岩田裕史 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N9/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 曲宝壮;王忠忠 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 彩色滤光器使用简单制造方法形成,且对于像素分离电极的偏置施加允许低照度中的灵敏度得到改善。在固态成像元件中,其中多个单元像素部分二维地布置在更靠近半导体基板或半导体层的前表面的一侧上,每个单元像素部分具有用于通过光照射产生信号电荷的光接收部分,相邻单元像素部分形成为相同颜色以允许彩色滤光器的对准精度的减小。像素分离电极在相邻单元像素部分中形成,且信号电荷在低照度期间通过施加偏置共享,由此改善有效发光二极管面积。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 元件 及其 制造 方法 以及 电子信息 设备 | ||
【主权项】:
一种固态成像元件,其中多个单元像素部分二维地布置在较靠近半导体基板或半导体层的前表面的一侧上,每个单元像素部分具有用于通过光照射产生信号电荷的光接收部分,该固态成像元件包含:导电性与光接收部分的导电性相反的相反导电类型的半导体区域;以及其上的像素分离电极,其中相反导电类型的半导体区域和像素分离电极布置在彼此相邻的4个单元像素部分之间,其中给定电压施加于像素分离电极以允许信号电荷被4个单元像素部分共享。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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