[发明专利]独立控制离子束的偏移、减速与聚焦的技术有效
申请号: | 200980157578.5 | 申请日: | 2009-10-26 |
公开(公告)号: | CN102334180A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 彼德·L·凯勒曼;史费特那·瑞都凡诺;法兰克·辛克莱;维克多·M·本夫尼斯特 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种独立控制离子束的偏移、减速与聚焦的技术。在一特定的例示性实施例中,所述技术可实现为一独立控制离子束的偏移、减速与聚焦的装置。此装置可包括一电极结构,此电极结构包括位于离子束上方的一组上电极与位于离子束下方的一组下电极。此组上电极与此组下电极是以对称于离子束的中央射线轨迹而定位。此组上电极与此组下电极之间的电位差亦可随着离子束的中央射线轨迹而改变,藉以反映中央射线轨迹上每一点的离子束能量,以独立地控制离子束偏移、减速与聚焦。 | ||
搜索关键词: | 独立 控制 离子束 偏移 减速 聚焦 技术 | ||
【主权项】:
一种装置,用以独立控制离子束的偏移、减速与聚焦,所述装置包括:一电极结构,包括配置于一离子束上方的一组上电极与配置于该离子束下方的一组下电极,其中该组上电极与该组下电极具有固定位置且不可移动,且其中该组上电极与该组下电极之间的电位差随着该离子束的一中央射线轨迹而改变,以反映沿着该中央射线轨迹上每一点的该离子束的能量,藉以独立地控制该离子束的偏移、减速与聚焦。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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