[发明专利]从硅熔体拉制多晶硅晶锭的方法和拉制组件无效

专利信息
申请号: 200980157622.2 申请日: 2009-12-23
公开(公告)号: CN102333909A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: S·L·金贝尔 申请(专利权)人: MEMC新加坡私人有限公司
主分类号: C30B15/32 分类号: C30B15/32;C30B29/06;H01L31/18
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 秘凤华;吴鹏
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 发明涉及通过使用直拉型拉晶机来生产多晶硅晶锭的方法,以及包含多个用于拉制多晶硅晶锭的籽晶的拉制组件。
搜索关键词: 硅熔体 拉制 多晶 硅晶锭 方法 组件
【主权项】:
一种用于生产多晶硅晶锭的方法,该方法包括:将原料多晶硅装载到坩埚中以形成硅填料;将所述硅填料加热到所述填料的大约熔化温度之上的温度以形成硅熔体;使籽晶与所述硅熔体接触;以及从所述硅熔体向上拉制硅晶锭,包括控制晶锭的生长条件以产生多晶硅晶锭。
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