[发明专利]半导体堆叠体及利用半导体堆叠体的功率转换装置有效

专利信息
申请号: 200980157677.3 申请日: 2009-02-24
公开(公告)号: CN102326326A 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 龙田利树;木下雅博 申请(专利权)人: 东芝三菱电机产业系统株式会社
主分类号: H02M7/00 分类号: H02M7/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李玲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 半导体堆叠体(1)包括:层叠基板(2)、多个半导体模块(3)、多个电解电容器、多个熔断器(5)、以及冷却用散热片(6)。层叠基板(2)通过将P相导体板(21)、C相导体板(22)及N相导体板经由绝缘板(24b、24c)重叠来形成。半导体模块(3a-3h)成列地配置在层叠基板(2)的背面上。此外,电解电容器(4a-4m)形成与半导体模块的列平行的列,配置在层叠基板(2)的背面上。熔断器(5a-5m)配置在层叠基板(2)的正面上。
搜索关键词: 半导体 堆叠 利用 功率 转换 装置
【主权项】:
一种半导体堆叠体,包括:层叠基板,其通过将第一导体板、第二导体板及第三导体板经由绝缘板重叠来形成,所述第一导体板、所述第二导体板及所述第三导体板上分别形成有第一电极、第二电极和第三电极;多个半导体模块,其成列地配置在所述层叠基板的一个面上,与所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极相连接;多个第一电解电容器,其形成与所述多个半导体模块的列平行的列来配置在所述层叠基板的所述一个面上,与所述第一电极和所述第二电极相连接;多个第二电解电容器,其与所述多个第一电解电容器形成同一列来配置在所述层叠基板的所述一个面上,与所述第二电极和所述第三电极相连接;多个熔断器,其配置在所述层叠基板的另一个面上,分别与所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极相连接。
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