[发明专利]衬底的表面粗化方法以及光伏装置的制造方法

摘要

包含：对形成在半导体衬底101a的表面的保护膜102形成开口部103的步骤；将保护膜102作为掩模实施使用了酸性溶液的第1蚀刻处理，在开口部103的下部及其附近区域形成第1凹部104的步骤；将保护膜102作为掩模实施蚀刻处理，除去形成在第1凹部104的表面的氧化膜104a的步骤；将保护膜102作为掩模实施各向异性蚀刻，在开口部103的下部及其附近区域形成第2凹部106的步骤；以及除去保护膜102的步骤。

主权项

一种衬底的表面粗化方法，其特征在于，包含：第1步骤，在半导体衬底的表面形成保护膜；第2步骤，在所述保护膜形成开口部；第3步骤，将形成有所述开口部的所述保护膜作为掩模，对所述半导体衬底的形成有所述保护膜的面实施各向同性蚀刻，在所述开口部的下部及其附近区域形成第1凹部；第4步骤，将形成有所述开口部的所述保护膜作为掩模，对所述半导体衬底的形成有所述保护膜的面实施蚀刻，除去在所述第1凹部的表面形成的氧化膜；第5步骤，将形成有所述开口部的所述保护膜作为掩模，对在所述半导体衬底的形成有所述保护膜的面实施各向异性蚀刻，在所述开口部的下部及其附近区域形成第2凹部；以及第6步骤，除去所述保护膜。