[发明专利]导电部件及其制造方法有效
申请号: | 200980158742.4 | 申请日: | 2009-07-13 |
公开(公告)号: | CN102395713A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 樱井健;石川诚一;久保田贤治;玉川隆士 | 申请(专利权)人: | 三菱伸铜株式会社 |
主分类号: | C25D7/00 | 分类号: | C25D7/00;C25D5/12;C25D5/50;H01H85/06;H01R13/03 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 陈万青;王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供导电部件,具有稳定的接触电阻,难以剥离,作为连接器使用时的插拔力小且稳定,作为保险丝使用时也具有良好熔断特性。在Cu系基材1上形成的Ni系底层3与形成表面的Sn系表面层5之间形成有Cu-Sn金属间化合物层4,Cu-Sn金属间化合物层4进而由配置于Ni系底层3上Cu3Sn层6与配置于Cu3Sn层6上的Cu6Sn5层7所构成,结合Cu3Sn层6及Cu6Sn5层7所成的Cu-Sn金属间化合物层4的与Sn系表面层5接触的面的表面粗糙度,以算术平均粗糙度Ra计为0.05~0.25μm,粗糙度曲线的最大凹陷深度Rv为0.05~1.00μm,Cu3Sn层被覆Ni系底层,其面积覆盖率为60~100%。 | ||
搜索关键词: | 导电 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种导电部件,其特征在于,在Cu系基材上形成的Ni系底层与形成表面的Sn系表面层之间,形成有Cu Sn金属间化合物层,Cu Sn金属间化合物层进而由配置在所述Ni系底层上的Cu3Sn层与配置在该Cu3Sn层上的Cu6Sn5层所构成,结合所述Cu3Sn层及Cu6Sn5层所成的所述Cu Sn金属间化合物层的与所述Sn系表面层接触的面的表面粗糙度,以算术平均粗糙度Ra计为0.05~0.25μm,粗糙度曲线的最大凹陷深度Rv为0.05~1.00μm,且所述Cu3Sn层覆盖所述Ni系底层,其面积覆盖率为60~100%。
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