[发明专利]半导体存储单元及其制造方法无效
| 申请号： | 200980158825.3 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102405521A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 金子幸広;加藤刚久;田中浩之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/105;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体存储单元(20)，其具备栅极绝缘膜由铁电体膜(4)构成的MFSFET(21)所组成的存储元件和栅极绝缘膜由顺电体膜(9)构成的MISFET(22)所组成的选择开关元件，MFSFET的第1栅电极(3)由在基板(1)上的结晶性绝缘膜(2)表面形成的结晶性导电膜(3)构成，铁电体膜(4)按照覆盖第1栅电极(3)的方式形成在结晶性绝缘膜(2)，顺电体膜(9)隔着半导体膜(5)形成在铁电体膜(4)上，MISFET(22)的第2栅电极(10)形成在顺电体膜(9)上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储单元，其具备：栅极绝缘膜由铁电体膜构成的第1场效应晶体管所组成的存储元件；和栅极绝缘膜由顺电体膜构成的第2场效应晶体管所组成的选择开关元件，上述第1场效应晶体管的第1栅电极由在基板上的结晶性绝缘膜表面形成的结晶性导电膜构成，上述铁电体膜按照覆盖上述第1栅电极的方式形成在上述结晶性绝缘膜上，上述顺电体膜隔着半导体膜形成在上述铁电体膜上，上述第2场效应晶体管的第2栅电极形成在上述顺电体膜上，上述半导体膜构成上述第1场效应晶体管以及上述第2场效应晶体管的共用的沟道层，在上述半导体膜上，形成上述第1场效应晶体管以及上述第2场效应晶体管共用的源电极以及漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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