[发明专利]形成用于集成电路的电断金属熔丝的结构和方法有效
| 申请号： | 200980159306.9 | 申请日： | 2009-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102428563A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | R.菲利皮;T.E.斯坦德尔特;S.格鲁诺;S.桑卡兰;K.钱达;J.P.甘比诺;A.H.西蒙;胡朝坤;G.博尼拉 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于集成电路装置的熔丝结构，包括延长的金属互连层(106)，限定在绝缘层中；金属盖层(108)，仅形成在该金属互连层的上表面的一部分上；以及电介质盖层(112)，形成在金属盖层(108)和该金属互连层上没有形成该金属盖层(108)的剩余部分上；其中，该金属互连层上没有形成该金属盖层(108)的剩余部分对电迁移失效机制敏感，从而便于通过经该延长的金属互连层(106)施加电流而对该熔丝结构进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 集成电路 金属 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种用于集成电路装置的熔丝结构，包括：延长的金属互连层(106)，限定在绝缘层中；金属盖层(108)，仅形成在所述金属互连层的上表面的一部分上；以及电介质盖层，形成在所述金属盖层(108)和所述金属互连层的其上没有形成所述金属盖层(108)的剩余部分上；其中，所述金属互连层的其上没有形成所述金属盖层(108)的剩余部分对电迁移失效机制敏感，从而便于通过经所述延长的金属互连层(106)施加电流而对所述熔丝结构进行编程。
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