[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的半导体装置改善读出时生成参考电流的参考单元的写入干扰余裕。在配置有常态存储器单元(NMC0-NMC2)的常态单元区域(10N)中，设位线(BL)为包层布线构造(40)，在配置有参考单元(RMC)的参考单元区域(10R)中，设位线(BL)为部分或非包层布线构造(42)。当是同一写入电流时，使施加于参考单元的写入磁场强度比施加于常态存储器单元的写入磁场强度小。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：存储器单元阵列，具有：多个常态磁性存储器单元，排列成行列状；以及多个参考单元，在所述行及列的一方的方向上与所述常态磁性存储器单元对准排列地配置，生成所述常态磁性存储器单元的数据读出时的参考电流；以及多个第一写入磁场供给线，对应于所述常态磁性存储器单元的行及列的任一者而配置，在数据写入时，通过电流感应出数据写入磁场并施加于对应的常态磁性存储器单元及参考单元，各所述第一写入磁场供给线对对应的行或列的参考单元以外的常态磁性存储器单元具有包层布线构造，对该对应的参考单元具有部分或非包层布线构造，所述包层布线构造是除了与单元相向的导体的面之外都由高导磁率膜覆盖所述导体的构造，所述部分或者非包层布线构造是除所述导体的与所述参考单元相向的面之外还有至少其他一面为未形成有所述高导磁率膜的构造。