[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置，其在同一半导体基板内形成有IGBT元件区、二极管元件区、被设置于IGBT元件区与二极管元件区之间的边界区，在IGBT元件区中的第一导电型的第一体区内设置有第二导电型的载流子累积区。在边界区中，于第一导电型的第二扩散区内，设置有延伸至与载流子累积区相接为止的第二导电型的第三扩散区。由此，能够在IGBT工作时，对载流子穿过边界区而向二极管元件区移动的情况进行抑制，从而降低通态电压。而且，能够在二极管反向恢复时，对载流子在边界区的漂移区中累积的情况进行抑制，从而降低反向恢复电流。

主权项

一种半导体装置，其在同一半导体基板内形成有绝缘栅双极性晶体管元件区、二极管元件区、和被设置于绝缘栅双极性晶体管元件区与二极管元件区之间的边界区，其中，绝缘栅双极性晶体管元件区具备：第一导电型的集电区；第二导电型的第一漂移区，其相对于集电区而被设置在半导体基板的表面侧；第一导电型的第一体区，其相对于第一漂移区而被设置在半导体基板的表面侧；第二导电型的发射区，其被设置在第一体区的表面上；第二导电型的载流子累积区，其被设置在第一体区内，并通过第一体区而与第一漂移区以及发射区隔离；沟槽栅，其从半导体基板的表面侧起贯穿第一体区而到达第一漂移区，二极管元件区具备：第二导电型的阴极区；第二导电型的第二漂移区，其相对于阴极区而被设置在半导体基板的表面侧；第一导电型的第二体区，其相对于第二漂移区而被设置在半导体基板的表面侧，边界区具备：第二导电型的第一扩散区；第一导电型的第二扩散区，其相对于第一扩散区而被设置在半导体基板的表面侧；第二导电型的第三扩散区，其被设置在第二扩散区内，并通过第二扩散区而与第一扩散区隔离，绝缘栅双极性晶体管元件区中的第一漂移区与边界区中的第一扩散区相接，并且二极管元件区中的第二漂移区与边界区中的第一扩散区相接，绝缘栅双极性晶体管元件区中的第一体区与边界区中的第二扩散区相接，并且二极管元件区中的第二体区与边界区中的第二扩散区相接。