[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200980160071.5 | 申请日： | 2009-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102460660A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 池田圭司 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体装置的制造方法，具体是把成为源漏扩展区的金属半导体化合物层的成长加以控制，具有高的电流驱动力及短沟道效应耐性的MISEFET的半导体装置的制造方法。具备MISFET的半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体基板上形成栅绝缘膜、在栅绝缘膜上形成栅电极、对栅电极的各个侧面从外侧向内侧的方向通过倾斜离子注入，在上述半导体基板中注入5.0e14atoms/cm2以上1.5e15atoms/cm2以下的氮，在栅电极两侧的上述半导体基板上沉积含镍的金属膜，进行使金属膜与半导体基板反应而形成金属半导体化合物层的第1热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
半导体装置的制造方法，其是具备MISFET的半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体基板上形成栅绝缘膜；在上述栅绝缘膜上形成栅电极；对上述栅电极的各个侧面，在从外侧向内侧的方向上，通过倾斜离子注入，在上述半导体基板中注入5.0e14atoms/cm2以上1.5e15atoms/cm2以下的氮；上述栅电极的两侧的上述半导体基板上沉积含镍的金属膜；进行第1热处理，使上述金属膜与上述半导体基板反应，形成金属半导体化合物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
