[发明专利]具有光栅结构的平面光波导装置的制造方法

摘要

一种用于制造平面光波导装置的方法，该平面光波导装置的芯线包括多个交替布置的凸部和凹部以形成光栅结构，在该光栅结构中，凹部的芯线宽度沿纵向方向变化，该方法包括：高折射率材料层形成步骤，形成高折射率材料层；光刻胶层形成步骤，在高折射率材料层上形成光刻胶层；第一曝光步骤，使用相移光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；第二曝光步骤，使用二元光掩模在光刻胶层上形成遮蔽部分；显影步骤，对光刻胶层进行显影；以及蚀刻步骤，使用从显影步骤得到的光刻胶图案对高折射率材料层进行蚀刻。

主权项

一种用于制造平面光波导装置的方法，所述平面光波导装置的芯线包括沿所述芯线的纵向方向交替布置的多个凸部和凹部以形成光栅结构，在所述光栅结构中，所述凸部的芯线宽度较宽，而所述凹部的芯线宽度较窄，并且所述凸部的芯线宽度和所述凹部的芯线宽度沿所述纵向方向变化，所述方法包括：高折射率材料层形成步骤，形成由高折射率材料制成的高折射率材料层，所述高折射率材料层构成包括所述凸部和所述凹部的所述芯线部分的至少一部分；光刻胶层形成步骤，在所述高折射率材料层上形成光刻胶层；第一曝光步骤，使用第一光掩模在所述光刻胶层上形成遮蔽部分以及曝光在所述遮蔽部分的外部的所述光刻胶层，所述第一光掩模是相移光掩模，并且在与所述凹部对应的位置处的所述遮蔽部分的横向宽度基本上等于所述凹部的相应芯线宽度，并且在与所述凸部对应的位置处的所述遮蔽部分的横向宽度比所述凸部的相应芯线宽度宽；第二曝光步骤，使用第二光掩模在所述光刻胶层上形成遮蔽部分，所述第二光掩模是二元光掩模，并且在与所述凹部对应的位置处的所述遮蔽部分的横向宽度比所述凹部的相应芯线宽度宽，并且在与所述凸部对应的位置处的所述遮蔽部分的横向宽度基本上等于所述凸部的相应芯线宽度；显影步骤，对所述光刻胶层进行显影；以及蚀刻步骤，使用从所述显影步骤得到的光刻胶图案对所述高折射率材料层进行蚀刻，以形成所述凸部和所述凹部。