[发明专利]太阳能电池单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200980161091.4 | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102484148A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 唐木田昇市 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在半导体基板的一面侧设置了具有栅电极的受光面侧电极的太阳能电池单元的制造方法，包括：第1工序，在第1导电类型的所述半导体基板的一面侧，形成扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层；第2工序，在所述杂质扩散层的面内的多个测定点，测定所述杂质扩散层的薄膜电阻值；以及第3工序，与所述测定出的所述杂质扩散层的表面的薄膜电阻值对应地，将所述杂质扩散层的面内划分为多个区域，针对每个所述区域设定相邻的所述栅电极彼此之间的距离，在所述杂质扩散层上形成与所述杂质扩散层电连接的所述受光面侧电极。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池单元的制造方法，该太阳能电池单元在半导体基板的一面侧设置有具有栅电极的受光面侧电极，该太阳能电池单元的制造方法的特征在于，包括：第1工序，在第1导电类型的所述半导体基板的一面侧，形成扩散了第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层；第2工序，在所述杂质扩散层的面内的多个测定点，测定所述杂质扩散层的薄膜电阻值；以及第3工序，与所述测定出的所述杂质扩散层的表面的薄膜电阻值对应地，将所述杂质扩散层的面内划分为多个区域，针对每个所述区域设定相邻的所述栅电极彼此之间的距离，在所述杂质扩散层上形成与所述杂质扩散层电连接的所述栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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