[发明专利]硅锗量子阱发光二极管有效
| 申请号： | 200980161152.7 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102484174A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·M·布拉托科夫斯基;维亚切斯拉夫·约瑟波夫 | 申请（专利权）人： | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋颖娉;罗正云 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种硅锗量子阱发光二极管(120)。所述发光二极管(120)包括：p型掺杂部分(410)、量子阱部分(420)和p型掺杂部分(430)。所述量子阱部分(420)设置在所述p型掺杂部分(410)和所述n型掺杂部分(430)之间。所述量子阱部分(420)包括载流子限制区，所述载流子限制区被配置为促使使用被限制在所述载流子限制区内的电子(314)和空穴(324)的直接复合(340)所产生的光(344)发射来发光。所述p型掺杂部分(410)包括硅锗的第一合金，并且所述n型掺杂部分(430)包括硅锗的第二合金。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种硅锗量子阱发光二极管(120)，包括：p型掺杂部分(410)、量子阱部分(420)和n型掺杂部分(430)，所述量子阱部分(420)被设置在所述p型掺杂部分(410)和所述n型掺杂部分(430)之间；其中所述量子阱部分(420)包括载流子限制区，所述载流子限制区被配置为促使使用被限制在所述载流子限制区内的电子(314)和空穴(324)的直接复合(340)所产生的光(344)发射来发光；其中所述p型掺杂部分(410)包括硅锗的第一合金，并且所述n型掺杂部分(430)包括硅锗的第二合金。
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