[发明专利]电子材料用Cu－Ni－Si－Co系铜合金和其制造方法无效
| 申请号： | 200980161688.9 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102549180A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 桑垣宽;江良尚彦 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06;C22C9/00;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/04;C22C9/10;C22F1/08;C22F1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡晓菡;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供适合作为电子材料用的铜合金的机械特性和电特性、且机械特性均一的Cu－Ni－Si－Co系合金。电子材料用的铜合金，其含有Ni：1.0～2.5质量％、Co：0.5～2.5质量％、Si：0.3～1.2质量％，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，其中，平均晶粒直径为15～30μm，每0.5mm2观察视野的最大晶粒直径与最小晶粒直径的差的平均值为10μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 材料 cu ni si co 铜合金 制造 方法 | ||
【主权项】：
电子材料用铜合金，其含有Ni：1.0～2.5质量％、Co：0.5～2.5质量％、Si：0.3～1.2质量％，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，该电子材料用铜合金的平均晶粒直径为15～30μm，每0.5mm2观察视野的最大晶粒直径与最小晶粒直径的差的平均值为10μm以下。
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