[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200980161790.9 | 申请日： | 2009-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN102612736A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 山下朋弘;西田征男;林岳;山本芳树;井上真雄 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 高科 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造一种包括n沟道型MISFET(Qn)的半导体器件，该n沟道型MISFET(Qn)具有含有铪、稀土类元素和氧作为主要成分的作为高介电常数栅绝缘膜的含Hf绝缘膜(5)和作为金属栅电极的栅电极(GE1)。含Hf绝缘膜(5)是从下面起依次形成含有铪和氧作为主要成分的第一含Hf膜、含有稀土类元素作为主要成分的稀土类膜、和含有铪和氧作为主要成分的第二含Hf膜，使它们发生反应而形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括n沟道型的第一MISFET，其特征在于具有：半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的上述第一MISFET的第一栅绝缘膜；以及在上述第一栅绝缘膜上形成的上述第一MISFET的第一金属栅电极，上述第一栅绝缘膜含有铪、稀土类元素和氧作为主要成分，上述第一栅绝缘膜的厚度方向上的稀土类元素的浓度分布为，在上述第一栅绝缘膜的下表面附近和上表面附近稀土类元素的浓度比在上述第一栅绝缘膜的中央区域低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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