[发明专利]金属有机化学汽相淀积设备及其温度控制方法有效
申请号: | 200980162274.8 | 申请日: | 2009-10-28 |
公开(公告)号: | CN102598217A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 洪性在 | 申请(专利权)人: | 丽佳达普株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;林锦辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种金属有机化学汽相淀积设备及其温度控制方法。该设备包括:腔室;安装在腔室内侧并能旋转的衬托器,其中,将至少一个衬底设置于衬托器上;加热衬托器的多个加热器,其温度被独立控制;气体喷射器,位于衬托器上部且朝向衬托器喷射III族气体和V族气体;多个温度探测传感器,其位于衬托器的上部,并测量通过各加热器加热的加热区的温度;和控制器,其存储加热区所需的温度设定值,并通过将由各温度探测传感器探测到的探测温度值与加热区所需的设定值相比较来控制加热区的温度。通过有效地调节金属有机化学汽相淀积设备中的每一外延工艺所必需的温度条件,可以在整个工艺期间均匀地向整个衬底实施温度倾斜,其通过将温度从室温上升至1200℃来执行工艺。因此提高了工艺效率和淀积均匀度。 | ||
搜索关键词: | 金属 有机化学 汽相淀积 设备 及其 温度 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种金属有机化学汽相淀积设备,包括:腔室;衬托器,可旋转地安装于该腔室内并被构造成具有至少一个固定于其中的衬底;多个加热器,被构造成加热所述衬托器并使它们的温度被单独控制;气体喷射器,放置于所述衬托器之上且被构造成朝向衬托器喷射III族气体和V族气体;多个温度探测传感器,放置于所述衬托器的一侧,并被构造成测量通过各加热器加热的加热区的温度;和控制器,被构造成存储各个加热区所需的温度设定值,并通过将由各温度探测传感器探测到的探测温度值与加热区所需的各温度设定值相比较来控制加热区的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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